雖然消費型記憶體的價格現階段已經漲到大家買不下手了，但下一代的開發還是在路上，近日韓國媒體就報導全球三大 DRAM 廠 Samsung、SK Hynix 和 Micron，已經請基板廠展開 DDR6 的協同開發，目標是在 2028 ~ 2029 年正式推出，理論速度部分有可能會直接翻倍，可說相當令人期待。
圖片來源：Wccftech
DDR6 開發正式開跑：Samsung、SK Hynix、Micron 拚 2028 ~ 2029 商用化，AI 資料中心優先
根據韓國媒體 The Elec 的報導，一位基板業內人士提到：「記憶體公司與基板廠通常會在產品上市前兩年以上展開聯合開發，而 DDR6 的初期開發近期已經開始。」
不過，目前 JEDEC 對 DDR6 的標準還沒最終敲定，包含模組厚度、堆疊結構、線路走法等參數，目前都還只是部分共享資訊。基板廠已經先依照這些初步設計進行預開發，並製作早期測試樣品，等規格定案後，才會銜接後續量產準備。換句話說，這次三大廠不是等到規格完全定了才開發，而是在標準化尚未完成時，就先與供應鏈同步進入早期驗證階段。
這次 DDR6 會這麼早啟動開發，其主要原因不外乎跟 AI 資料中心需求升溫有關。
隨著 AI 伺服器對高頻寬、大容量、低功耗記憶體的需求持續擴大，加上目前 DDR5 供應已經吃緊，DDR6 未來商業化後，很可能會先被 AI 資料中心客戶採用。也因此，Samsung、SK Hynix 與 Micron 提前展開開發，等於是在為 2028～2029 年可能出現的第一波 DDR6 商用需求提前卡位，避免到時技術、產能或客戶合作進度落後競爭對手。
規格部分，DDR6 的速度比 DDR5 直接拉高一個區間，JEDEC 規範 DDR5 從 4,800 起跳、上限 8,800 MT/s，DDR6 則是 8,800 起跳、上看 17,600 MT/s，代表說速度區間將會直接翻倍。
而低功耗版本的 LPDDR6 之前就已經定案，JEDEC 於 2025 年 7 月公布 JESD209-6 標準，速度範圍 10,667–14,400 MT/s、有效頻寬大約 28.5–38.4 GB/s。LPDDR6 還改採雙子通道架構、32 byte 小存取粒度，並加入 DVFSL（低功耗動態電壓頻率縮放），整體比 LPDDR5X 快 33%、省電超過 20%。
圖片來源：Wccftech
按照基板廠的說法跟業界共識，DDR6 商用化的時間點應該會落在 2028 ~ 2029 年，不過第一批 DDR6 模組很可能會先供應給A I 資料中心，消費端要等資料中心需求被填得差不多之後，才比較有機會，大概還要再延個一兩年，所以一般 PC 玩家真的能買到 DDR6 套組，推測最快也要 2029 年下半到 2030 年。