全球記憶體市場在 AI 熱潮帶動下，從 2025 年底一路漲到 2026 年中，三星、SK 海力士、美光三大廠股價齊創歷史新高，DRAM、NAND Flash 與 HBM 報價也水漲船高。彭博行業研究（Bloomberg Intelligence）分析師 Shuli Ren 近期發表一份標題為〈Memory Shortage Won’t Last Forever〉的報告，明確指出這波短缺將在 2026 年第二季達到頂點，2027 年第一季開始回穩，最快 2028 年就會出現產能過剩。這番言論與多家記憶體大廠高層及華爾街看多派形成正面交鋒，也讓近期大幅回檔的記憶體股再添變數。
彭博潑冷水：記憶體短缺不會永遠持續，2027 回穩、2028 恐過剩
Shuli Ren 在報告中強調，記憶體產業的本質並未因 AI 而改變，依舊是典型的「繁榮與蕭條（Boom and Bust）」週期行業。她認為，雖然目前 DRAM、NAND Flash 與高頻寬記憶體（HBM）同時短缺，價格持續飆升，但這波供應緊張已經在 2026 年第二季來到頂點；隨著 2026 年下半年至 2027 年上半年新產能逐步開出，市場供應壓力將以極快速度紓緩。彭博繪製的「充足率（Sufficiency ratio）」曲線顯示，2027 年第四季可望達到供需平衡，2028 年則可能轉為供過於求 。
這份報告出爐的時間點相當微妙。7 月初，《大賣空》主角 Michael Burry 在 Substack 披露已做空美光科技（Micron），理由就是記憶體產業的週期性無人能改。Shuli Ren 在文章中也直接回應了 Burry 的觀點，認為記憶體股「景氣好時被過度吹捧、景氣差時被過度拋售」的特性，這次很可能再次應驗。
市場已用腳投票：記憶體股集體墜入技術性熊市
投資人對週期反轉的疑慮，已提前反映在股價上。截至 2026 年 7 月上旬，美光、三星電子與 SK 海力士均從近期高點回落超過 20%，正式跌入技術性熊市。其中 SK 海力士自高點回檔約 26.3%，美光下跌 25.2%，三星電子下跌 21.0% 。自 6 月 25 日起短短 7 個交易日，半導體類股總市值蒸發約 1.5 兆美元（約新台幣 48 兆元），光是美光市值就縮水近 3,500 億美元（約新台幣 11.2 兆元）。
這波跌勢並非由財報暴雷引發。三星電子第二季營業利潤預估高達 590 億美元（約新台幣 1.9 兆元）、銷售額達 1,130 億美元（約新台幣 3.6 兆元），但數據公布後反而引發獲利了結賣壓 。過去記憶體股回檔往往能迅速吸引抄底資金，這次跌勢持續更久、幅度更深，市場對 AI 題材的評價標準已經改變。
大廠與華爾街看多派：結構性短缺仍將延續
相較於彭博的保守預測，記憶體供應商與部分分析師仍堅持「結構性短缺」論調。美光 CEO Sanjay Mehrotra 在 2026 年 6 月的財報法說會上表示，公司已簽署 16 份戰略客戶協議（SCA），訂單積壓約 1,000 億美元（約新台幣 32 兆元），HBM 產能幾乎售罄，記憶體供應緊張將延續至 2027 年以後。英特爾 CEO 陳立武在 2026 年 2 月公開表示，他與兩家主要記憶體廠高層交談後得到的結論是：「據我所知，2028 年前沒有緩解跡象」。SK 集團會長 Chey Tae-won 也於 3 月指出，全球晶圓短缺可能持續到 2030 年 。
瑞士銀行（UBS）7 月發布的《記憶體晶片月度報告》同樣看多，認為全球記憶體市場單月銷售額在 2026 年 6 月達到 746 億美元（約新台幣 2.4 兆元）的歷史新高，結構性供應不足最快也要到 2028 年中才可能緩解 。UBS 預估 2026 年全球記憶體產業營收將達 9,920 億美元（約新台幣 31.7 兆元），2027 年更將大幅成長至約 1.76 兆美元（約新台幣 56.3 兆元）；HBM 需求在 2026 年將年增 90%，2027 年再增 77%。
產能擴張：2027–2028 才是真正供給釋放期
無論週期判斷如何，業界共識是：大量新產能正在路上，但投產時間集中在 2027 至 2028 年。韓國政府 6 月底宣布，三星與 SK 海力士將共同投資 800 兆韓元（約 5,180 億美元，約新台幣 165.8 兆元），在韓國西南部打造半導體聚落，目標 2030 年讓 DRAM 產能翻倍。美光則於 7 月初宣布，日本廣島 HBM 擴廠投資 1.5 兆日圓（約 93 億美元，約新台幣 2,980 億元），預計 2028 年夏季開始出貨；美國愛達荷州新廠預計 2027 年中投產，紐約州基地則要到 2028–2030 年才會貢獻產能。SK 海力士在中國清州與美國印第安納州的新廠，預計也要到 2028 年底才能完工。
從時間軸來看，這些新產能恰好落在彭博預測的「2027 回穩、2028 過剩」窗口。Shuli Ren 的判斷是：高價格已經顯著刺激資本支出，雖然晶圓廠建設週期長達 3 至 5 年，但先前規劃的項目將在 2027–2028 年逐步貢獻產量；同時，AI 基礎建設的初期爆發式建置熱潮也可能階段性放緩 。
結論：多空激戰，週期與結構的角力才剛開始
彭博這份報告為市場注入了一劑「週期清醒劑」，提醒投資人記憶體產業從來不是「永遠短缺」或「永遠過剩」。但另一方面，AI 對 HBM 的剛性需求、三大廠長期供貨協議的鎖單效應，以及大規模新產能尚未落地的現實，也讓「結構性短缺」論調短期難以被推翻。對於 PC 玩家與一般消費者而言，眼前的記憶體與 SSD 價格恐怕都難以在短期內回跌。美光、三星、SK 海力士新建產能絕大多數瞄準 AI 用 HBM，而非傳統 PC DRAM，消費級記憶體價格回穩可能要到 2028 年甚至更久之後才會見到曙光 。