先前已有消息指出，AMD Radeon RX 9070 XT 顯示卡會改用 Samsung 開發的 GDDR6 記憶體模組，進而取代原本的 SK Hynix 模組，因此市面上販售的 RX 9070 XT，就有分成這二個記憶體的版本，但包裝上不會特別說明。而根據中國 B 站頻道最新影片分享，他們總共測試 22 張 RX 9070 XT 顯示卡，發現到搭載的 GDDR6 記憶體若來自 Samsung，效能表現平均會比搭載 SK Hynix 慢一些。
Radeon RX 9070 XT 如果是使用 Samsung 記憶體，會比 SK Hynix 慢一點，但遊戲體驗應該沒差
這是由中國 B 站頻道 51972 所發現，最近他們幾乎測試了所有中國市售的 RX 9070 XT 顯示卡，總共有 22 張，運行 3DMark Speedway 壓力測試，從下圖可以看到，排名前面 12 張顯卡都是搭載 SK Hynix 記憶體模組，後面 10 張則是 Samsung 記憶體模組，整體換算下來，大約慢 1%~2%：
即使是測試中表現最快的 Samsung 記憶體版本，分數也低於表現最差的 SK Hynix 記憶體版本。換句話說， Samsung 在效能上全部落後，沒有一張能贏過 SK Hynix。
雖然 3DMark Speedway 不能代表真實遊戲效能，但還是能反映出顯示卡記憶體效能的差異。
為此，51972 也有向 AMD 中國詢問這個狀況，AMD 回應表示，效能差異確實來自記憶體模組差異，並進一步指出 Samsung 記憶體採用「較寬鬆的時序（looser timings）」，是導致效能下降的主因之一。
「時序」指的是記憶體內部讀寫動作之間的延遲設定，時序較寬鬆雖然有助於穩定性和降低發熱，但會影響到資料存取效率，進而降低整體效能表現。
儘管效能差了一點，但發熱變低也代表，Samsung 記憶體版本的顯示卡溫度表現會比較好，因此這也可能是 AMD 決定改用 Samsung 記憶體模組的主要考量，很可能是希望提升散熱與穩定性，但也可能跟供應鏈或成本優化有關。
無論如何，這次兩者的差距是因為 3DMark Speedway 跑分成績才被發現，在實際遊戲中，1% 至 2% 的差異，絕大多數玩家應該都不會感受。
如果你是追求極致效能或超頻玩家，那搭載 SK Hynix 記憶體版本會是更好的選擇。而偏好低溫、更安靜的使用過程，則可以考慮 Samsung 版本。
完整影片：